SOI

SOI全名為Silicon On Insulator，是指矽電晶體結構在絕緣體之上的意思，原理就是在矽電晶體之間，加入絕緣體物質，可使兩者之間的寄生電容比原來的少上一倍。優點是可以較易提升時脈，並減少電流漏電（英語：Leakage (electronics)）^[a]成為省電的IC，在製程上還可以省略部分光罩以節省成本，因此不論在製程上或是電路上都有其優勢。此外，在SOI晶圓（SOI wafer）本身基板的阻抗值的部分也會影響到元件的表現，因此後來也有公司在基板上進行阻抗值的調整，達到射頻元件（Radio frequency component、RF component）特性的提升。原本應通過交換器的電子，有些會鑽入矽中造成浪費；SOI可防止電子流失，與補強一些原本Bulk wafer中CMOS元件的缺點。摩托羅拉宣稱中央處理器可因此提升時脈20%，並減低耗電30%。除此之外，還可以減少一些有害的電氣效應。還有一點，可以說是很多超頻玩家所感興趣的，那就是它的工作溫度可高達300°C，減少過熱的問題。

SOI一開始是由美商IBM公司的晶片部門投入開發，最早用於Macintosh電腦（MAC）的PowerPC G4處理器，除了IBM外，還有Motorola、德州儀器（TI）、NEC等公司投入SOI技術的開發工作，但是Intel公司拒絕在其處理器產品中使用SOI技術，因為其認為SOI技術容易影響晶圓品質與減低電晶體交換速度，並且SOI上接合點也會減少，也就是一般製程中「漏電（英語：Leakage (electronics)）」的缺點所煩惱。

SOI行業聯盟是負責推廣SOI技術，成員包括SOI技術的發明者IBM及一些半導體公司，例如AMD和NVIDIA，而Intel並未加入該組織^[1]。

使用SOI技術的產品

IBM

Power 4
Power 5
Power 6
PowerPC G3
PowerPC 7400
Power PC

Sony

Cell

AMD

VIA

參考文獻

腳註

^ 漏電流，leakage current，一般是由電路中的雜散寄生電容所產生，會造成額外的功率消耗，而且是在非正常工作模式下，所產生的電流；通常分為半導體元件漏電流、電源漏電流、電容漏電流和濾波器漏電流等，另外，次臨界電流也屬之。

引用

^ NVIDIA加入SOI绝缘硅技术行业联盟. [2008-08-04]. （原始內容存檔於2008-07-31）.

[漏電流-1] 漏電流，leakage current，一般是由電路中的雜散寄生電容所產生，會造成額外的功率消耗，而且是在非正常工作模式下，所產生的電流；通常分為半導體元件漏電流、電源漏電流、電容漏電流和濾波器漏電流等，另外，次臨界電流也屬之。

[2] NVIDIA加入SOI绝缘硅技术行业联盟. [2008-08-04]. （原始內容存檔於2008-07-31）.

[a]

[1]