相變化記憶體

相變化記憶體（英語：Phase-change memory，英語：Ovonic Unified Memory，英語：Chalcogenide RAM，簡稱PCM, PRAM, PCRAM, CRAM），又譯為相變位記憶體，是一種非易失性存儲器裝置。PRAM使用含一種或多種硫族化物的玻璃（英語：Chalcogenide glass）（Chalcogenide glass）製成，目前的主流為GeSbTe系合金。硫屬玻璃（英語：Chalcogenide glass）的特性是，經由加熱可以改變它的狀態，成為晶體（Crystalline）或非晶體（Amorphous）。這些不同狀態具有相應的電阻值。因此 PRAM 可以用來存儲不同的數值。它是未來可能取代快閃記憶體的技術之一。