二端口網絡

二端口網絡(英語:two-port network)又稱雙端口網絡雙口網絡,是四端子網絡四端網絡)的一種,是具有2個端口的電路或裝置,端口與電路內部網絡相連接。一個端口由2個端子組成,當這2個端子滿足端口條件,即一個端子流入的電流等於另一個端子流出的電流時,則這2個端子就構成了一個端口,換句話說,也就是相同的電流從同一端口流入並流出。[1][2]二端口網絡的實例包括電晶體的小信號模型(如混合π模型)、電子濾波器以及阻抗匹配網絡。被動二端口網絡的分析是互易定理的副產物,最初由洛倫茲提出[3]

圖1:一個定義了符號的二端口網絡。請注意端口條件:相同的電流從同一端口流入並流出。

二端口網絡能將電路的整體或一部分用它們相應的外特性參數來表示,而不用考慮其內部的具體情況,這樣被表示的電路就成為具有一組特殊性質的「黑箱」,從而就能抽象化電路的物理組成,簡化分析。任意具有4個端子的線性電路都可以變換成二端口網絡,且滿足不含獨立源的條件和端口條件。

描述二端口網絡的參數不只有一組,常用的幾組參數是分別為阻抗參數Z、導納參數Y、混合參數h、g和傳輸參數,每組參數都在下文中有描述。這幾組參數只能用於線性網絡,因為它們導出的條件是假定任何給定的電路情況都是各種短路和開路情況的線性疊加。這幾組參數通常用矩陣表示法表示,通過以下變量建立關係:

輸入電壓
輸出電壓
輸入電流
輸出電流

如圖1所示。這些電流電壓變量在低頻到中頻情況下是非常有用的。在高頻情況下(如微波頻率),使用功率能量變量會更合適,這時二端口電流-電壓法就應該由基於散射參數英語Scattering parametersS的方法代替。

請注意,四端子網絡(four-terminal network)等同於四端網絡(quadripole,注意與四極子(quadrupole)區分),但不等同於二端口網絡,因為只有2個端子滿足流入一個端子的電流等於流出另一個端子的電流時,即滿足端口條件時,才能稱這2個端子為一個端口,而四端子網絡的端子可能無法滿足端口條件。因此對於一個四端子網絡,只有當連接到其內部電路的2對端子滿足端口條件時,這個四端子網絡才是一個二端口網絡。[1][2]

一般性質

二端口網絡具有若干常用於實際網絡中的特定性質,能大大簡化分析。這些性質包括:

  • 互易網絡:在端口1上加一個電流,在端口2上產生相應的電壓;在端口2上加與前者相同的電流,在端口1上產生相應的電壓。若兩個端口產生的電壓相等,則稱二端口網絡是互易的。將上述的電流和電壓交換,所描述的定義與上述定義是等價的。另一種表述方式與上述定義等價,內容為:端口1的電壓除以端口2的短路電流之商等於端口2的電壓除以端口1的短路電流之商,則稱二端口網絡是互易的。通常,若組成網絡的元件都是線性無源元件(電阻、電容和電感),則這個網絡是互易的;若網絡包含有源元件(如晶體管、集成運放、發生器、數字電路器件等),則網絡不是互易的。另外,含有受控源的二端口網絡一般不具有互易性。[4]互易二端口網絡的各組參數滿足:
    •   
    •   
    •  
    •  
    •   
    •   
  • 對稱網絡:若一個網絡的輸入阻抗等於輸出阻抗,則這個網絡是電氣對稱的。對稱網絡一定是互易網絡,但互易網絡不一定是對稱網絡。大多數情況下,對稱網絡也是物理對稱的,不過這不是必要條件。這類網絡的輸入和輸出阻抗是互逆的。有時,反對稱網絡也是可以利用的性質。[5]對稱二端口網絡的各組參數滿足:
    •  
    •  
    •  
    •  
    •   
    •  
  • 無耗網絡:無耗網絡是不包含電阻或其他耗能元件的網絡。[6]互易網絡反映網絡的電磁對稱性,而無耗網絡反映網絡的能量對稱性。無耗二端口網絡的各組參數滿足:[7][8]
    • 非互易無耗網絡滿足 ,其中Re(Z)為電阻矩陣,Im(Z)為電抗矩陣;互易無耗網絡滿足 
    • 非互易無耗網絡滿足 ,其中Re(Y)為電導矩陣,Im(Y)為電納矩陣;互易無耗網絡滿足 
    • 非互易無耗網絡滿足  (似互易性,推廣到2n端口非互易無耗網絡仍存在此性質);互易無耗網絡滿足 
    • 無論網絡互易與否, ,其中S*為S的共軛轉置,I為單位矩陣,此關係表明無耗網絡的S矩陣是酉矩陣。若網絡有耗,則  正定矩陣

阻抗參數(Z參數)

 
圖2:Z參數等效的T形等效電路,其中I1I2為獨立變量。圖中的電阻表示一般的阻抗。

阻抗參數又稱開路阻抗參數,因為計算這一參數時電路滿足開路條件Ix=0(其中x = 1, 2,分別表示流過2個端口的輸入和輸出電流)。

一般形式的開路阻抗矩陣(Z參數矩陣)中,所有的輸出電壓都用Z參數矩陣和輸入電流表示,滿足如下矩陣方程:

 

其中  分別是 方陣  。一般來說,開路阻抗矩陣中的元素都是複數和頻率函數。對於一端口網絡,Z參數矩陣縮減為單元素矩陣,變成了2個端子間的普通阻抗

二端口網絡的Z參數矩陣方程的具體形式如下,其中 為二端口網絡的開路阻抗矩陣(Z參數矩陣):

 

其中

 
 

對於n端口網絡,以上表達式可歸納為

 

Z參數矩陣中每一元素的單位均是歐姆

對於互易網絡, 。對於對稱網絡, 。對於互易無耗網絡,所有的 都是純虛數。[9]


發射極退化的雙極型電流鏡

 
圖3:雙極型電流鏡,RE是射極負反饋。i1 是基準電流,i2是輸出電流,小寫字母符號表明這些電流是包含直流分量的總電流。
 
圖4:小信號雙極型電流鏡,RE是射極負反饋。I1是小信號基準電流的幅值,I2是小信號輸出電流的幅值。

圖3展示了一個雙極型電流鏡,發射極接入電阻是為了增加電流鏡的輸出電阻。[注 1]晶體管Q1是二極管接法,也就是說其集電極-基極電壓為零。圖4展示了一個與圖3電路等效的小信號電路。晶體管Q1由其發射極電阻rEVT / IEVT = 熱電壓IE = Q點發射極電流)表示,這是因為Q1的混合π模型中的獨立電流源消耗的電流與rπ上跨接的電阻1 / gm消耗的電流相同,所以這樣簡化電路是可行的。第二個晶體管Q2用其混合π模型表示。表1列出的Z參數表達式使圖2中的Z參數等效電路與圖4中的小信號電路成為電學等效電路。

表1 表達式 近似
     
   
             
         

電阻RE引入的負反饋在參數中有所體現。例如,當電流鏡在差分放大器中用作有源負載時,I1 ≈ -I2,這使得電流鏡的輸出阻抗近似為R22 -R21 ≈ 2 β rORE /( rπ+2RE ),但是如果未接入負反饋(即RE = 0 Ω),輸出阻抗僅為rO。同時,電流鏡基準測的阻抗近似為R11 − R12   ,僅是一個不大的值,但仍比無負反饋時的阻抗rE大。在差分放大器應用中,較大的輸出電阻可以增大差模電壓放大倍數,這是一個優點,而較小的電流鏡輸入電阻可以避免密勒效應,因此這也是一個優點。

導納參數(Y參數)

 
圖5:Y參數等效的Π形等效電路,其中V1V2為獨立變量。圖中的電阻表示一般的導納。

導納參數又稱短路導納參數,因為計算這一參數時電路滿足短路條件Vx=0(其中x=1,2,分別表示2個端口上的輸入和輸出電壓)。

一般形式的短路導納參數(Y參數矩陣)中,所有的輸出電流都用Y參數矩陣和輸入電壓表示,滿足如下矩陣方程:

 

其中  分別是 方陣  。一般來說,短路導納參數中的元素都是複數和頻率函數。對於一端口網絡,Y參數矩陣縮減為單元素矩陣,變成了2個端子間的普通導納

二端口網絡的Y參數矩陣方程的具體形式如下,其中 為二端口網絡的短路導納矩陣(Y參數矩陣):

 

其中

 
 

對於n端口網絡,以上表達式可歸納為

 

Y參數矩陣中每一元素的單位均是西門子

對於互易網絡, 。對於對稱網絡, 。對於互易無耗網絡,所有的 都是純虛數。[9]

混合參數(h參數)

 
圖6:h參數等效的二端口網絡,其中I1V2為獨立變量;h22取倒數以表示一個電阻。圖中的電阻表示一般的阻抗。

混合參數(h參數)又稱第一類混合參數。下式中的 為二端口網絡的混合矩陣(h參數矩陣,第一類混合矩陣)。

 

其中

 
 

對於互易網絡, 。對於對稱網絡, 

當輸出端需要電流放大電路時,這種等效電路常被選用。請注意,混合參數矩陣的非對角線元素均為無量綱量,而對角線元素的量綱互為倒數。

三極管的h參數微變等效電路

 
圖7:一般化的NPN型三極管的h參數微變等效電路x替換為ebc分別表示共射極、共基極或共集電極拓撲。
  • hix = hie:三極管的輸入阻抗(對應基極-射極動態電阻 rbe)。
  • hrx = hre: 代表VCE對應的三極管IBVBE曲綫。此值通常非常小,而且常被忽略(假定為零)。
  • hfx = hfe:三極管的電流增益。此參數通常指數據手冊中的hFE或者直流電流增益(βDC)。
  • hox = hoe:三極管的輸出阻抗。這個量實際上是導納,通常需要將其轉換成阻抗

hixhrxhfxhox分別對應h11h12h21和1/h22

共基極放大器

 
圖8:共基極放大器,交流電流源I1作為信號輸入,V2是非特定負載支撐電壓,I2是受控電流。

表2中列出的公式使圖6中的晶體管與圖8中其相應的小信號低頻混合π模型成為h參數等效電路。

圖8中:

  • rπ = 晶體管基極電阻
  • rO = 輸出電阻
  • gm = 跨導
表2 表達式 近似
     
     
     
     

如上所示,h21為負,這是因為一般規定電流I1I2流入二端口的方向為正方向。h12為非零值表明輸出電壓對輸入電壓有影響,也就是說放大電路為雙向放大電路;若h12 = 0,則放大電路為單向放大電路。

第二類混合參數(g參數)

 
圖9:g參數等效的二端口網絡,其中V1I2為獨立變量;g11取倒數以表示一個電阻。圖中的電阻表示一般的阻抗。

下式中的 為二端口網絡的第二類混合矩陣(g參數矩陣)。

 

其中

 
 

對於互易網絡, 。對於對稱網絡, 

當輸出端需要電壓放大電路時,這種等效電路常被選用。請注意,g參數矩陣的非對角線元素均為無量綱量,而對角線元素的量綱互為倒數。

共基極放大器

 
圖10:共基極放大器,交流電壓源V1作為信號輸入,I2是受控電壓V2上的非特定負載傳輸電流。

表3中列出的公式使圖9中的晶體管與圖10中其相應的小信號低頻混合π模型成為h參數等效電路。

圖10中:

  • rπ = 晶體管基極電阻
  • rO = 輸出電阻
  • gm = 跨導
表3 表達式 近似
         
     
     
     

如上所示,g12為負,這是因為一般規定二端口電流I1I2流入的方向為正方向。g12為非零值表明輸出電流對輸入電流有影響,也就是說放大電路為雙向放大電路;若g12 = 0,則放大電路為單向放大電路。

傳輸參數

傳輸參數又稱ABCD參數、級聯參數、傳輸線參數、F參數、T參數(注意不要與散射傳輸參數混淆),其定義有多種不同的形式,下面列出兩種最常見的等價定義形式。

定義一(ABCD參數)

最常見的一種定義形式如下,下式中的 為二端口網絡的傳輸矩陣(ABCD參數矩陣、A參數矩陣、T參數矩陣):[10][11]

 

其中

 
 

對於互易網絡, 。對於對稱網絡, 。對於互易無耗網絡,AD為純實數,而BC為純虛數。[6]

這種表示法是首選方法,因為當參數用於表示二端口的級聯時,書寫矩陣的順序與繪製電路圖相同,都是從左到右。

下面給出的定義形式是上述定義的變體,下式中的 為二端口網絡的反向傳輸矩陣(反向ABCD參數矩陣、B參數矩陣、T'參數矩陣):

 

其中

 

以上公式中的  為負,因為 被定義為 的相反數,即 。採用這一約定的原因是若滿足上述關係,一個二端口網絡的輸出電流與下一個與其級聯的二端口網絡的輸入電流相等。因此,輸入電壓/電流矩陣向量可以被直接替換為前一個二端口網絡的矩陣方程以構造組合 矩陣。

電話四線傳輸系統(Telephony four-wire Transmission Systems)的ABCD矩陣是於1977年由P·K·韋伯(P. K. Webb)在British Post Office Research Department Report 630中定義。

定義二(A參數、B參數)

部分學者將 參數矩陣的元素符號指定為aij (i, j = 1, 2)[12],將逆 參數矩陣的元素符號指定為bij (i, j = 1, 2),二者都很簡潔,且不會與電路元件的符號混淆。下列公式中的 為二端口網絡的A參數矩陣(傳輸矩陣、傳輸參數矩陣、T參數矩陣), 為二端口網絡的B參數矩陣(反向傳輸矩陣、反向傳輸參數矩陣、T'參數矩陣)。

 
 

兩種形式滿足的關係非常簡單,互為逆矩陣,即

 

請注意,A矩陣、B矩陣分別代表ABCD矩陣、反向ABCD矩陣,不要與定義一中的參數A、B混淆。

基本電路元件的傳輸參數

下表列出了一些簡單的基本電路元件的反向傳輸參數矩陣(B參數矩陣)。

元件 B矩陣 備註
串聯電阻   R = 電阻
並聯電阻   R = 電阻
串聯電導   G = 電導
並聯電導   G = 電導
串聯電感   L = 電感
s = 複頻率
並聯電容   C = 電容
s = 複頻率

二端口網絡的組合聯接

當聯接2個或2個以上的二端口網絡時,組合網絡的二端口參數可以通過對組合網絡的每一組成部分的參數矩陣進行矩陣代數運算求取。若恰當的選取與二端口聯接方式相匹配的二端口參數,矩陣運算將會極為簡單,例如串聯聯接最好用Z參數來描述。

二端口網絡的聯接中要注意端口的組合規則,因為當連接電勢相異的部分時,有一些連接會導致組合網絡不滿足端口條件,且違反組合規則。要解決這一難題,可以在出現問題的二端口網絡輸出端接入匝數比為1:1的理想變壓器。這一舉動並不會改變二端口網絡的參數,而且還能保證二端口網絡互相聯接時滿足端口條件。圖12和圖13中分別展示了串聯聯接中有關這一問題的一個實例和解決方案。[13]

簡表:

聯接方式 圖示 參數 聯接方式 圖示 參數
串聯     並聯    
串-並聯     並-串聯    

 
級聯    

 
級聯    

 

串聯

 
圖11:兩個輸入端口串聯,輸出端口也為串聯的二端口網絡。

若兩個二端口網絡以串聯方式聯接(圖11),最好選擇Z參數來描述二端口網絡。組合網絡的Z參數矩陣是由兩個獨立網絡分別的Z參數矩陣相加得到:[14][15]

 

兩個獨立網絡的Z參數矩陣方程如下:

 
 

此時,    分別滿足關係    ,故如下關係成立:

 

因此,串聯二端口網絡的Z參數矩陣為

 
 
圖12:不當的二端口網絡串聯,因為下方二端口網絡中的電阻R1被所加旁路短接。
 
圖13:利用理想變壓器使內部電路滿足端口條件。

如前文所述,有些組合網絡不能通過分析結果直接串聯得到。[13]一個簡單的實例是由電阻R1R2組成的L形網絡。這一網絡的Z參數為:

 

圖12展示了2個串聯的相同網絡。理論上,由矩陣相加得到的整體Z參數為

 

但是,如果直接分析這一組合網絡會得到

 

二者的分歧在於下方二端口網絡中的R1被加在輸出端口的2個端子間的電阻短接,這就導致2個獨立網絡中每一網絡的輸入端口中分別有一個端子無電流流過,但另一個端子仍有電流流入。因此,2個原始網絡的輸入端口都無法滿足端口條件。解決方案是在2個二端口網絡中至少一個網絡的輸出端接入一個理想變壓器(圖13)。雖然這種方法是教科書上常見的介紹二端口網絡原理的方法,在每個獨立二端口網絡的設計中都使用變壓器是否實用是需要考慮的問題。

並聯

 
圖14:兩個輸入端口並聯,輸出端口也為並聯的二端口網絡。

若兩個二端口網絡以並聯方式聯接(圖14),最好選擇Y參數來描述二端口網絡。組合網絡的Y參數矩陣是由兩個獨立網絡分別的Y參數矩陣相加得到:[16]

 

兩個獨立網絡的Y參數矩陣方程如下:

 
 

此時,    分別滿足關係    ,故如下關係成立:

 

因此,並聯二端口網絡的Y參數矩陣為

 

串-並聯

 
圖15:兩個輸入端口串聯,輸出端口並聯的二端口網絡。

若兩個二端口網絡以串-並聯方式聯接(圖15),最好選擇h參數來描述二端口網絡。組合網絡的h參數矩陣是由兩個獨立網絡分別的h參數矩陣相加得到:[17]

 

兩個獨立網絡的h參數矩陣方程如下:

 
 

此時,    分別滿足關係    ,故如下關係成立:

 

因此,並聯二端口網絡的h參數矩陣為

 

並-串聯

 
圖16:兩個輸入端口並聯,輸出端口串聯的二端口網絡。

若兩個二端口網絡以並-串聯方式聯接(圖16),最好選擇g參數來描述二端口網絡。組合網絡的g參數矩陣是由兩個獨立網絡分別的h參數矩陣相加得到:

 

兩個獨立網絡的g參數矩陣方程如下:

 
 

此時,    分別滿足關係    ,故如下關係成立:

 

因此,並聯二端口網絡的g參數矩陣為

 

級聯

 
圖17:兩個級聯的二端口網絡。

級聯又稱鏈聯,是將二端口網絡輸出端口的2個端子分別連接到下一個二端口網絡輸入端口的2個端子的聯接方式。若兩個二端口網絡以級聯方式聯接(圖17),最好選擇ABCD參數來描述二端口網絡。組合網絡的ABCD參數矩陣是由兩個獨立網絡分別的ABCD參數矩陣進行矩陣相乘得到:[18]

 

n個二端口網絡組成的級聯網絡的參數可以通過對n個矩陣進行矩陣相乘得到。若利用b參數矩陣計算級聯網絡的參數,也是通過對n個矩陣進行矩陣相乘實現,不過矩陣相乘的順序必須顛倒:

 

兩個獨立網絡的ABCD參數矩陣方程如下:

 
 

此時,    滿足如下關係:

 

因此,級聯二端口網絡的ABCD參數矩陣為

 

下面給出一個實例:

假設一個二端口網絡由串聯電阻R後接並聯電容C組成,這一網絡整體上可以被視為2個結構更為簡單的網絡的級聯:

 
 

整個網絡的傳輸矩陣 只需要將2個二端口網絡組成部分的傳輸矩陣進行矩陣相乘即可得出:

 
 
 

因此

 

散射參數(S參數)

 
圖18:S參數定義中的功率波符號。

上述參數都是就端口的電壓和電流而言定義的,而S參數是就端口的反射波英語Signal reflection而言定義的。S參數常用於特高頻微波頻率,因為:

  • 從測量上看,在這類高頻條件下,電壓和電流很難直接測定,而利用定向耦合器可以很容易地測定入射功率和反射功率;
  • S參數適合系統級聯,當特徵阻抗匹配時,根據獨立系統的特性預測最終的結果較為方便;
  • 和微波工程中常用的概念,如反射係數、衰減增益密切相關;

S參數矩陣方程定義為[19]

 

其中 是端口k上的入射波, 是端口k上的反射波,一般規定  與功率的平方根有關,因此二者與波電壓有關[20],定義如下:[21]

每一個端口的入射波定義為

 

每一個端口的反射波定義為

 

其中 是每一個端口基準阻抗構成的對角矩陣  的按元素的(element-wise)複共軛矩陣,  分別是每一個端口電壓和電流的列向量,且  

若假設每一個端口上的基準阻抗均相等,則定義可簡化為

 
 

其中 是每一端口的特性阻抗

上述矩陣方程以參數    給出了每一端口的反射功率波與入射功率波的關係。若在端口1加入射功率波 ,由其引起的出射波一部分會出現在端口1( ),另一部分會出現在端口2( );同理,端口2加入射功率波 ,由其引起的出射波一部分會出現在端口1( ),另一部分會出現在端口2( )。端口1的兩股出射波之和為 ,端口2的兩股出射波之和為 。不過還存在一種特殊情況:按照S參數的定義,若端口2終端接入的負載阻抗與系統阻抗 相等(端口2匹配),那麼由最大功率傳輸定理 會被完全吸收,這使得 等於零。因此,

  

同樣,如果端口1終端接入的負載阻抗與系統阻抗相等(端口1匹配), 會為零,則

  

各參數的物理含義和網絡特性如下:

 是輸入端口電壓反射係數,即端口2匹配時,端口1的反射係數
 是反向電壓增益,即端口1匹配時,端口2到端口1的反向傳輸係數
 是正向電壓增益,即端口2匹配時,端口1到端口2的正向傳輸係數
 是輸出端口電壓反射係數,即端口1匹配時,端口2的反射係數

對於互易網絡, 。對於對稱網絡, 。對於反對稱網絡, [22]對於互易無耗網絡,  [23]

二端口網絡的S參數矩陣很常用,是生成的大型網絡的高階矩陣的基本組成部分。[24]

特性參數

非互易網絡的一個典型例子是工作在線性(小信號)條件下的放大器,而互易網絡的例子是匹配衰減器。在以下的參數中,按一般約定假設輸入和輸出分別連接到端口1和端口2。系統額定阻抗、頻率以及其他會影響裝置的因素也都一定要事先精確規定。

  • 線性增益
複線性增益G定義為
 
這一參數是電壓增益,即輸出電壓除以輸入電壓的線性比,所有的值都是複數量。
而標量線性增益是複線性增益的大小,定義為
 
這一參數是標量電壓增益,由於是標量,故不用考慮相位。
  • 對數增益
增益g的標量對數(單位dB)表達式為
  dB
這一參數比線性增益更常用,是一個正數量,常被直接稱為增益,而負數量可被稱為負增益,不過更常用的說法是稱為損耗,等同於其以dB為單位的幅度。例如,一條10米長的電纜在100 MHz條件下的增益是- 1 dB,或者說這條電纜在100 MHz條件下的損耗是1 dB。
  • 插入損耗
插入損耗英語Insertion Loss 的單位一般為dB,定義為:
  dB
按其定義來說,由於插入損耗是一種損耗(負增益),上式中得到的符號可以略去。插入損耗常與上述的 混淆,在這裡需要特別考慮。二者的不同在於 描述了裝置的輸入失配,而插入損耗並不是輸入阻抗或電源阻抗的函數。因此二者的表達式可以進一步改寫為
 ,其中 是電源的可用功率
 ,其中 是端口1的插入損耗對應的功率
  • 輸入回波損耗
輸入回波損耗英語return loss 是一個關於網絡的實際輸入阻抗與系統額定阻抗值接近程度的標量量度,以對數幅值表達,定義為
  dB
由定義來看,回波損耗是一個正標量值,因為公式中包含2對幅值符號(|)。線性部分 相當於反射電壓幅值除以入射電壓幅值。
  • 輸出回波損耗
輸出回波損耗 與輸入回波損耗的定義相似,只不過描述對象是輸出端口(端口2)而不是輸入端口,定義為
  dB
  • 反向增益與反向隔離度
反向增益 的標量對數(單位dB)表達式為
  dB
反向增益常會被表達為反向隔離度 。反向隔離度是一個正數量,與 的大小相等,表達式為
  dB
  • 電壓反射係數
輸入端口電壓反射係數 以及輸出端口電壓反射係數 分別等於  ,定義為
  
  是複數量,因此  也是複數量。
電壓反射係數是複數量,可以用極坐標圖史密斯圖表示。
  • 電壓駐波比
端口的電壓駐波比英語Standing wave ratio(VSWR)用小寫s表示,是於回波損耗相匹配的一個類似量度,不過不同之處在於,電壓駐波比這個線性標量描述的是駐波最大電壓與駐波最小電壓的比。因此,其與電壓反射係數的大小有關,也與輸入端口的 和輸出端口的 的大小有關。
對於輸入端口,電壓駐波比 定義為
 
對於輸出端口,電壓駐波比 定義為
 

散射傳輸參數(T參數)

散射傳輸參數又稱T參數,是從入射波和反射波的角度來定義的參數。T參數與S參數的不同之處,在於T參數是將端口1的信號波與端口2的信號波關聯起來,而S參數是將反射波與入射波關聯起來。從這一方面來說,T參數與ABCD參數充當了相同的角色,能通過將級聯網絡組成部分的T參數進行矩陣相乘得到級聯組合網絡的T參數。同ABCD參數一樣,T參數也可稱為傳輸參數。T參數不像S參數一樣容易直接測出,但是可以通過S參數非常容易地轉換得出。[25]

二端口網絡的T參數矩陣與S參數矩陣非常接近,T參數是與歸一化入射波和歸一化反射波有關,符合如下關係:[19][26]

 

另一種定義方式:

 

MATLAB的RF工具箱插件[27]以及多部著作(如《Network scattering parameters》[28])均採用第一種定義,而本節的S與T參數的轉換公式是基於第二種定義推導的,因此要特別注意,而將第一種定義中的T11和T22交換,T12和T21交換並不會影響定義的正確性。

與S參數相比,T參數的優點在於其只需要將每個級聯的獨立二端口的T參數矩陣進行矩陣相乘,就能確定若干個級聯二端口網絡的效果。將二端口網絡1、2和3的T參數矩陣分別設為   ,則3個級聯的二端口網絡的T參數矩陣順序相乘就能得到組合網絡的矩陣 

 

如S參數一樣,T參數是複值,二者可以直接轉換。雖然級聯T參數是由獨立網絡的T參數進行簡單的矩陣相乘得到,但是將每個網絡的S參數轉換為T參數進行運算後,再將級聯網絡的T參數轉換為等效的級聯網絡S參數是有意義的,因為這種運算方法在實際中常常需要應用。不過在運算完成後,所有端口間的雙向複全波互作用就要考慮到。下列等式是S與T參數相互轉換的公式。[29]

S參數轉換為T參數:

 
 
 
 

T參數轉換為S參數:

 
 
 
 

參數轉換

  阻抗矩陣  導納矩陣  混合矩陣  第二類混合矩陣  傳輸矩陣 
           
           
           
           
           

其中  

下面以h參數轉換為Y參數的推導過程為例。
 

將h參數方程組進行等式變形,得到Y參數方程組的形式:

 

將第一個式子代入第二個式子:

 

對第二個式子進行整理:

 

其中 

整理後的Y參數方程組為

 

與Y參數方程組的標準形式進行比較,可以得到以下代換關係:

 

其中

 

散射參數(S參數)一般通過直接測量得到,但也可通過與其他參數相互轉換導出,下面舉出S參數與其他參數的轉換公式示例。

下面列出S參數與Z參數的轉換公式。

二端口S參數可以由等效的二端口Z參數得出,表達式如下:[30]

 
 
 
 

其中

 

 是每一端口的特性阻抗(假定對於2個端口特性阻抗相同)。

上式中的  一般用複數表示。注意對於某些特定 值, 將會為0,因此這將導致計算 的表達式中分母 為0。

下面列出S參數與Y參數的轉換公式。

二端口Y參數可以由等效的二端口S參數得出,表達式如下:

 
 
 
 

其中

 

 是每一端口的特性阻抗(假定對於2個端口特性阻抗相同)。上式中的  一般用複數表示。注意對於某些特定 值, 將會為0,因此這將導致計算 的表達式中分母 為0。

二端口S參數也可由等效的二端口Y參數得出,表達式如下:[30]

 
 
 
 

其中

 

 是每一端口的特性阻抗(假定對於2個端口特性阻抗相同)。

電路變換

等效電路

 
T形等效電路
 
Π形等效電路
  • T形等效電路:選用阻抗參數Z可以非常容易地計算這種等效電路,注意對於互易網絡,圖中的受控電壓源不存在。
  • Π形等效電路:選用導納參數Y可以非常容易地計算這種等效電路,注意對於互易網絡,圖中的受控電流源不存在。

輸入、輸出阻抗和電流、電壓增益

輸入阻抗Zin、輸出阻抗Zout、電流增益KI、電壓增益KV分別定義為:  

阻抗參數  導納參數  混合參數  第二類混合參數 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

其中ZL是連接到端口2上的負載阻抗,ZS是連接到端口1上的電源阻抗。

下面以h參數的輸入阻抗求取為例。

輸入阻抗為

 

不帶負載的二端口網絡的h參數方程組為

 

接入負載後

 

將上式代入h參數方程組,並進行等式變換

 
 
 
 
 
 
 

其中 

多於2個端口的網絡

二端口網絡非常普遍,如放大器和濾波器都是二端口網絡,但是如定向耦合器環行器英語circulator等電阻網絡有多於2個的端口。下列表示法可用於具有任意端口數的網絡:

例如,三端口網絡的阻抗參數為下列形式:

 

而下列參數只限於在二端口網絡中應用:

  • 混合參數(h參數)
  • 第二類混合參數(g參數)
  • 傳輸參數(ABCD參數)
  • 散射傳輸參數(T參數)

參見

注釋

  1. ^ 射極引線上的電阻是為了抵消晶體管VBE降低導致的任何電流增大也就是說,電阻RE 產生了負反饋的作用,抑制了電流變化。特別的一點是,輸出電壓的任何變化都會導致有負反饋時的電流比無負反饋時變化小,這就意味着電流鏡的輸出電阻增加了。

參考文獻

註腳

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參考書目

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  • Gray, P.R.; Hurst, P.J.; Lewis, S.H.; Meyer, R.G. Analysis and Design of Analog Integrated Circuits 4th. New York: Wiley. 2001. ISBN 0471321680. 
  • Ghosh, Smarajit, Network Theory: Analysis and Synthesis, Prentice Hall of India ISBN 8120326385.
  • Jaeger, R.C.; Blalock, T.N. Microelectronic Circuit Design 3rd. Boston: McGraw–Hill. 2006. ISBN 9780073191638. 
  • Matthaei, Young, Jones, Microwave Filters, Impedance-Matching Networks, and Coupling Structures, McGraw-Hill, 1964.
  • Mahmood Nahvi, Joseph Edminister, Schaum's outline of theory and problems of electric circuits, McGraw-Hill Professional, 2002 ISBN 0071393072.
  • Dragica Vasileska, Stephen Marshall Goodnick, Computational electronics, Morgan & Claypool Publishers, 2006 ISBN 1598290568.
  • David M. Pozar, "Microwave Engineering", Third Edition, John Wiley & Sons Inc.; ISBN 0-471-44878-8.
  • Simon Ramo, John R. Whinnery, Theodore Van Duzer, "Fields and Waves in Communication Electronics", Third Edition, John Wiley & Sons Inc.; ISBN 0-471-58551-3.