討論:互補式金屬氧化物半導體

互補式金屬氧化物半導體屬於維基百科科技主題的基礎條目第五級。請勇於更新頁面以及改進條目。
本條目頁屬於下列維基專題範疇：

（獲評極高重要度）

	電子學主題閱論編本條目頁屬於電子學專題範疇，該專題旨在改善中文維基百科電子學相關條目類內容。如果您有意參與，請瀏覽專題主頁、參與討論，並完成相應的開放性任務。
未評	根據專題品質評級標準，本條目頁尚未接受評級。
極高	根據專題重要度評級標準，本條目已評為極高重要度。

Untitled

CMOS譯成"互補性氧化金屬半導體"事實上不能完全反映出CMOS的結構(MOSFET閘極的結構為金屬-氧化層(二氧化矽)-半導體(通常為矽半導體)，甚至會造成誤解(在CMOS中，閘極氧化層並非金屬，而是半導體)。故台灣電機工程界對CMOS一般可接受的翻譯是「互補式金屬-氧化層-半導體」，簡稱「互補式金氧半」。

其實大陸的主要譯名是「互補金屬氧化物半導體」。用「氧化金屬」的確會造成誤會。 --Lorenzarius 12:25 2006年10月16日 (UTC)

CMOS應該尚難突破1nm物理極限

最新留言：3 年前1則留言1個人參與討論

這技術應該還是鎖不住the electron.在量子物理的基礎上,電子在適當的物理條件下仍會進行穿越效應。CMOS可以鎖住電子的能力應該有限（電子還是遠比半導體結構的分布範圍還小，這就像不論怎麼調整籠子的大小結構材質分布，空氣分子還是有機率會穿透牢籠），而且開發這材料技術的成本應該非常高昂.要用愛因斯坦的思考方式解決1nm物理極限．但相關理論和技術細節，本人不予透漏。──以上未簽名的留言由2404:0:8029:EB61:806B:8622:52DB:3764（討論）於2021年6月20日 (日) 07:56 (UTC)加入。回覆

新增話題