Rowhammer是一种对动态随机存取存储器(DRAM)攻击方法。这种攻击利用了DRAM在运行过程中产生的意外电荷泄漏效应,攻击会导致存储器单元泄露电荷并可能造成比特翻转,攻击存在的一个原因是现在DRAM存储单元的高密度排列造成的。一些高端芯片采用ECC(error-correcting code)技术来防止这个问题的发生,而一种称为ECCploit的攻击方法可以部分的绕过ECC保护机制[1]

参考文献

  1. ^ Potentially disastrous Rowhammer bitflips can bypass ECC protections. Ars Technica. [2018-11-22]. (原始内容存档于2018-11-29) (美国英语).