File:Silicon dislocation orientation 111 mag 500x 2.png

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Silicon_dislocation_orientation_111_mag_500x_2.png （768 × 576 像素，檔案大小：574 KB，MIME 類型：image/png）

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摘要

描述	Title: Dislocation in Si crystal, orientation 111 Desc: Image of dislocation in Si crystal made using interference microscope with 500x magnification. Crystal orientation can be determined by the triangular (pyramidal) shape of the dislocation. Author: Twisp Date: 24.08.2005
日期	2005年9月13日 (原始上傳日期)
來源	No machine-readable source provided. Own work assumed (based on copyright claims).
作者	No machine-readable author provided. Twisp assumed (based on copyright claims).

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目前	2005年9月13日 (二) 00:17		768 × 576（574 KB）	Twisp	* Title: Dislocation in Si crystal, orientation 111 * Desc: Image of dislocation in Si crystal made using interference microscope with 500x magnification. Crystal orientation can be determined by the triangular (pyramidal) shape of the dislocation. * Auth

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