梁式引线技术
梁式引线技术是一种制造半导体器件的方法。其最初的应用于高频硅开关晶体管和高速集成电路。这项技术消除了当时集成电路常用的劳力密集引线键合制程。它还能够将半导体芯片自动组装到更大的基板上，从而促进混合集成电路生产。[1]
20世纪60年代初期，MP Lepselter[2][3]开发了一种制造技术，涉及在薄膜Ti-Pt-Au基底上电铸一系列厚的自支撑金图案，从而产生了“梁”一词。这些图案沉积在硅芯片的表面上。随后去除梁下方多余的半导体材料，使各个器件分离，并留下自支撑梁引线或悬臂超出半导体材料的内部芯片。这些触点不仅充当电引线，还为设备提供结构支撑。
专利
专利发明包括：
- 使用阴极溅镀（等离子蚀刻/RIE）选择性去除材料，美国专利#3,271,286；1966年发行
- PtSi半导体接点和肖特基二极管（PtSi Schottky Diodes），美国专利#3,274,670；1966年发行
- 包括梁式引线的半导体器件（梁式引线，Ti-Pt-Au 金属系统），美国专利#3,426,252；1969年发行
- 制作紧密间隔导电层的方法（空气绝缘交叉、空气桥、射频开关），美国专利#3,461,524；1969年发行
- 振动簧片装置（MEMS），美国专利#3,609,593；1971年发行
影响
该技术也称为空气桥技术，已在用于电信和导弹系统的高频硅开关晶体管和超高速集成电路中占有一席之地。梁式引线器件生产了数亿件，成为商业微机电结构（MEMS）的第一个例子。[4]
- ^ Rao R. Tummala et al, Microelectronics Packaging Handbook: Semiconductor packaging, Springer, 1997 ISBN 0-412-08441-4, page 8-75
- ^ M.P. Lepselter, et al., "Beam-Lead Devices and Integrated Circuits", Proceedings of the IEEE, Vol. 53 No 4 (1965), p.405.
- ^ Presentation at Electron Devices Meeting, October 29, 1964, Washington, D.C.
- ^ Lepselter, M. P. Beam-Lead Technology. Bell System Technical Journal. 1966-02, 45 (2). ISSN 0005-8580. doi:10.1002/j.1538-7305.1966.tb00018.x.