Talk:金屬氧化物半導體場效電晶體

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Former good article金屬氧化物半導體場效電晶體曾屬優良條目,但已撤銷資格。下方條目里程碑的链接中可了解撤銷資格的詳細原因及改善建議。條目照建議改善而重新符合標準後可再次提名評選
新條目推薦 條目里程碑
日期事項結果
2006年11月12日優良條目評選入選
2010年9月7日優良條目重審維持
2012年9月12日優良條目重審撤銷
新條目推薦 本條目曾於2006年11月2日登上維基百科首頁的「你知道嗎?」欄位。
新條目推薦的題目為:
    當前狀態:已撤銷的優良條目
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    ~移動完畢~ --Shinjiman 14:50 2006年11月2日 (UTC)

    優良條目評選

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    優良條目重審

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    金屬氧化物半導體場效電晶體编辑 | 讨论 | 历史 | 链接 | 监视 | 日志,分类:没有找到,提名人:思源如宁

    優良條目重審(第二次)

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    金屬氧化物半導體場效電晶體编辑 | 讨论 | 历史 | 链接 | 监视 | 日志,分类:电脑資訊 - 电子学,提名人:CHEM.is.TRY 2012年9月5日 (三) 13:29 (UTC)回复

    投票期:2012年9月5日 (三) 13:29 (UTC) 至 2012年9月12日 (三) 13:29 (UTC)
     撤销:6支持,0反对。--茶壺留言2012年9月12日 (三) 14:39 (UTC)回复

    三个名词修订

    对于大陆的简体学术名词来说
    场效晶体管应该是 -- 场效应晶体管 (FET)
    闸极应该是 -- 栅极 (Gate)
    空乏层 其中空乏 应该是 -- 耗尽层(depletion layer)
    另外多晶硅空乏不知道指什么,我从未学到过类似多晶硅耗尽的概念,怀疑是衬底耗尽概念的笔误。
    因为不敢乱改优良条目,所以把意见放在这里。
    --绵羊 07:26 2006年12月15日 (UTC)

    我在創建這個條目時,使用的譯名皆為台灣慣用的譯法 (事實上在台灣,無論是學校或是產業界,都很少用中文稱呼這些東西,而慣以英文原名稱之,簡單又不會引起爭議)。若是大陸有其他用法,我認為可以並存。--LeviLee 06:45 2006年12月28日 (UTC)

    是否应在在文中使用简称

    金属氧化物半导体场效晶体管这个名词实在有点长了,如果每次都写这么长的名字人要疯了的。我觉得本文标题可以保持不变,文章内容应该可以使用“MOSFET”或者“MOS管”两者之一(大陆课本上都是这么用的),可以减轻阅读负担。大家觉得呢?尤其是使用繁体的朋友们。--Alexander Misel留言2014年12月23日 (二) 14:11 (UTC)回复

    外部链接已修改

    各位维基人:

    我刚刚修改了金屬氧化物半導體場效電晶體中的1个外部链接,请大家仔细检查我的编辑。如果您有疑问,或者需要让机器人忽略某个链接甚至整个页面,请访问这个简单的FAQ获取更多信息。我进行了以下修改:

    有关机器人修正错误的详情请参阅FAQ。

    祝编安。—InternetArchiveBot (報告軟件缺陷) 2017年7月24日 (一) 09:06 (UTC)回复

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