File:Silicon dislocation orientation 111 mag 500x 2.png

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摘要

描述	Title: Dislocation in Si crystal, orientation 111 Desc: Image of dislocation in Si crystal made using interference microscope with 500x magnification. Crystal orientation can be determined by the triangular (pyramidal) shape of the dislocation. Author: Twisp Date: 24.08.2005
日期	2005年9月13日 (原始上传日期)
来源	无法识别来源。根据版权声明推断为其自己的作品。
作者	无法识别作者。根据版权声明推断作者为Twisp。

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	日期/时间	缩⁠略⁠图	大小	用户	备注
当前	2005年9月13日 (二) 00:17		768 × 576（574 KB）	Twisp	* Title: Dislocation in Si crystal, orientation 111 * Desc: Image of dislocation in Si crystal made using interference microscope with 500x magnification. Crystal orientation can be determined by the triangular (pyramidal) shape of the dislocation. * Auth

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