施敏
关于华东理工大学教授、长江学者，请见「施敏 (化学家)」。施敏（1936年3月21日—2023年11月6日[註 1][2]），號福佑[3]，江蘇吳江[註 2]震澤人[4]，生於南京[5]，知名半導體學者，中央研究院院士，曾任職於美國貝爾實驗室與國立交通大學電子工程系教授、國立陽明交通大學與國立臺灣科技大學的榮譽講座教授、及美國史丹福大學電機系顧問教授。他與姜大元發明並實作了第一個非揮發性記憶體（non-volatile semiconductor memory，NVSM）[6][7]。電機電子工程師學會（IEEE）會士[8]、尊榮會員。
| 施敏 | |
|---|---|
| 出生 | 1936年3月21日 中華民國南京市 |
| 逝世 | 2023年11月6日（87歲）[註 1] 美国 |
| 国籍 | 中華民國、 美国[1] |
| 别名 | 施福佑、Simon Sze |
| 母校 | 國立臺灣大學 華盛頓大學 史丹福大學 |
| 知名于 | 非揮發性記憶體，快閃記憶體 |
| 伴侣 | 王令儀 |
| 科学生涯 | |
| 研究领域 | 物理學 |
| 机构 | 國立陽明交通大學電子工程學系所 |
| 博士導師 | John Moll |
| 博士生 | 張俊彥 |
生平
施敏的父親施家福是留學法國的礦冶專家，因被調任為臺灣金銅礦務局[註 3]局長，施敏全家於1948年12月遷居台灣[4]。1957年，施敏畢業於國立臺灣大學電機工程學系，之後至美國留學。1960年，取得華盛頓大學碩士學位。1963年，取得史丹福大學電機博士學位[註 4]。畢業後，隨即進入貝爾實驗室工作，在此工作直到1989年退休。
1967年5月，與韓裔美國人的姜大元在《貝爾系統科技期刊》（The Bell System Technical Journal）發表第一篇關於非揮發性記憶體的論文「浮閘非揮發性半導體記憶體細胞元件」[6][7]，隨後由貝爾實驗室取得專利。在此年開始，撰寫《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）[9]。1969年，《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）第一版出版，成為工程及應用科學領域最暢銷的教科書[4]。
1968年，回台灣於國立交通大學擔任董浩雲講座教授一年。並創辦台灣第一家半導體公司「環宇電子」[註 5][10]。
1976年，應經濟部長孫運璿之邀，為當時經濟部發展積體電路計畫工作小組成員之一，自述「當時這個小組給孫運璿的建議是，台灣沒有地下資源、礦產稀少，唯一可以好好發展的資源就是腦力。半導體絕對是最新的高科技，未來發展前景看好，建議台灣應該要發展ＩＣ產業。」，力薦孫運璿推動半導體業。[11][12]
1977年獲選電機電子工程師學會（IEEE）會士[13]，1989年自貝爾實驗室退休後，1990年開始於國立交通大學電子工程系任教[14]。
1991年，獲選IEEEJ J Ebers獎[15][8]。
1994年，當選中華民國中央研究院院士（數理組）。1995年，獲選美國國家工程院院士。1998年，獲選中國工程院外籍院士[1]。
2010年6月，獲贈國立交通大學終身講座教授。
2014年6月，獲贈國立臺灣科技大學榮譽講座教授。
2017年12月獲IEEE頒贈2017年度「尊榮會員」[16]。
著作
施敏所著的《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）是目前全世界工程及應用科學領域最暢銷的書之，一曾被翻譯成六種語言，銷售超過100萬冊，被引用次數達兩萬多次，有「半導體界的聖經」之稱。1969年推出第一版，1981年與2006年再版兩次。
- Physics of Semiconductor Devices, S. M. Sze. New York: Wiley, 1969, ISBN 0-471-84290-7; 2nd ed., 1981, ISBN 0-471-05661-8; 3rd ed. （页面存档备份，存于互联网档案馆）, with Kwok K. Ng, 2006, ISBN 0-471-14323-5, ISBN 0-470-06830-2, ISBN 978-047-006-830-4.
- Nonvolatile Memories: Materials,Devices and Applications" 2-volume set, Tseung-Yuen Tseng and Simon M. Sze. Los Angeles: American Scientific Publishers, 2012; ISBN 1-58883-250-3
- Semiconductor Devices: Physics and Technology, S. M. Sze. New York: Wiley, 1985; 2nd ed., 2001, ISBN 0-471-33372-7; 3ed ed. （页面存档备份，存于互联网档案馆）, with Ming-Kwei Lee . 2012, ISBN 978-047-053-794-7
- VLSI Technology, ed. S. M. Sze. New York: McGraw-Hill, 1983, ISBN 0-07-062686-3; 2nd ed., 1988, ISBN 0-07-062735-5.
- Modern Semiconductor Device Physics, ed. S. M. Sze. New York: John Wiley & Sons, Inc., 1998, ISBN 0-471-15237-4.
- 中文書
- 上冊：施敏; 伍國珏; 譯者：張鼎張、劉柏村. 半導體元件物理學(上冊). 臺灣: 國立交通大學. 2008-08-01 [2008]. ISBN 978-986-843-951-1 （中文）. （繁體中文）
- 下冊：施敏; 伍國珏; 譯者：張鼎張、劉柏村. 半導體元件物理學(下冊). 臺灣: 國立交通大學. 2009-04-14 [2009]. ISBN 978-986-843-954-2 （中文）. （繁體中文）
注释
参考文献
- ^ 1.0 1.1 施敏. 中國工程院院士館. [2023-11-11]. （原始内容存档于2023-11-11） （中文（中国大陆））.
- ^ 「半導體一代宗師」施敏辭世 享壽87歲. [2023-11-08]. （原始内容存档于2023-11-12）.
- ^ 祖籍蘇州的外籍兩院院士 （页面存档备份，存于互联网档案馆），蘇州教育博物館
- ^ 4.0 4.1 4.2 王麗娟. 施敏與數位時代的故事. 宏津數位科技. 2013-06-21. ISBN 9789868959002 （中文（臺灣））.
- ^ Institute of Electrical and Electronics Engineers. IEEE membership directory. Institute of Electrical and Electronics Engineers. 1996. ISBN 978-0-7803-9957-0 （英语）.
- ^ 6.0 6.1 即浮閘非揮發性半導體記憶體，其架構類似常規MOSFET，施敏. Floating Gate (PDF). 第19卷1，奈米通訊. 國家奈米元件實驗室，財團法人國家實驗研究院. 2012 [2015-09-27]. （原始内容 (pdf)存档于2015-09-27）. 外部链接存在于
|work=(帮助) - ^ 7.0 7.1 D. Kahng and S. M. Sze, A floating-gate and its application to memory devices, The Bell System Technical Journal, 46, #4 (1967), pp. 1288–1295.（英文）
- ^ 8.0 8.1 Electron Devices Society J.J. Ebers Award. web page at the IEEE. [2007-01-11]. （原始内容存档于2007-02-28） （英语）.
- ^ 9.0 9.1 9.2 《遠見雜誌》 第197期 - 前進的動力：施敏要用十奈米終結記憶體 （页面存档备份，存于互联网档案馆），成章瑜，2002年11月號
- ^ YouTube上的「施敏教授」成立環宇電子的由來
- ^ 周品均. 比張忠謀輩分還高！半導體「一代宗師」施敏辭世，享壽87歲 沒有他就沒有智慧型手機 - 今周刊. www.businesstoday.com.tw. 2023-11-08 [2023-11-08]. （原始内容存档于2023-11-21） （中文（臺灣））.
- ^ 科技大觀園. 最新文章. scitechvista.nat.gov.tw. [2023-11-08]. （原始内容存档于2023-11-08）.
- ^ 院士基本資料，中央研究院
- ^ 施敏(Dr. Simon M. Sze) （页面存档备份，存于互联网档案馆），電子工程學系，國立交通大學
- ^ Past J.J. Ebers Award Winners （页面存档备份，存于互联网档案馆）, web page at the IEEE, accessed 2013-08-27
- ^ 引領全球半導體產業五十年 施敏教授獲IEEE頒「尊榮會員」 為台灣首位獲獎人 （页面存档备份，存于互联网档案馆），國立交通大學